超过98%的电子元件是使用单品硅作用基础材料制备，在迅速发展的太阳能发电工程中，由于单晶硅材料有较高的光电转换率，因此也占据了重要的地位。单晶硅制备主要有两种方法：CZ，FZ。CZ-直拉法，主要用于低功率集成电路、晶体管、太阳能电池等。其特点是容易实现单晶大直径化，设备和工艺已比较成熟，该方法生产的单晶占硅单晶总量的85%以上。
 

　　FZ-区熔，用高频加热悬浮生长，能生产高阻、高纯、高寿命的高质量单晶，主要用于探测器，大功率可控整流元件，包括能使转换率超过20%以上的太阳能单晶。晶体生长技术，它涉及到热力学、物理化学、流体动力学、结晶学和晶体缺陷理论，由于微电子技术的飞速发展，作为基础材料的硅单晶制备技术也在迅速发展。
 

　　单晶硅烘干设备操作程序为：将待烘干的纱锭置于传送带的一侧，传送带缓慢移动，带动纱锭徐徐通过辐射舱，在辐射舱内纱锭被烘干。在传送带的另一侧取走已烘干的纱锭。传送带连续运转，实现了烘干设备的不间断持续工作。电子管为贵重器件，应重点加以保护，除加装与管子配套的过温熔断器外，尚需加装风量连锁开关。以确保电子管不因温度过高而损坏。烘干设备中选用的电子管为进口风冷管。按要求，电子管必须竖直安装，但可取两种朝向，即如下所述的方案一和方案二。
 

　　方案一为电子管阳极朝下，阴极朝上摆放，冷却空气从下方由电子管阳极吹入，出风再冷却电子管栅极和阴极(进风温度50℃，出风温度100℃)。特点是电子管维护、接线方便，但阴极和灯丝的冷却风温度偏高。
 

　　方案二为电子管阳极朝上，阴极朝下摆放。冷却空气从下方由电子管阴极一端吹入，冷却风顺次冷却电子管灯丝、阴极、栅极和阳极。阴极和灯丝等接线通过转接板进行。