起订量:
超高分辨率场发射扫描电子显微镜 SU9000
专门为电子束敏感样品和需
300
万倍稳定观察的半导体器件,高分辨成像所设计。
特点
新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
用改良的高真空性能和电子束稳定性来实现高效率截面观察。
采用全新设计的Super E x B能量过滤技术,高效,灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。
项目
技术指标
二次电子分辨率
0.4nm (加速电压30kV,放大倍率80万倍)
1.2nm (加速电压1kV,放大倍率25万倍)
STEM分辨率
0.34nm(加速电压30kV,晶格象)
观测倍率
底片输出
显示器输出
LM模式
80~10,000x
220~25,000x
HM模式
800~3,000,000x
2,200~8,000,000x
样品台
侧插式样品杆
样品移动行程
X
±4.0mm
Y
±2.0mm
Z
±0.3mm
T
±40度
标准样品台
平面样品台:5.0mm×9.5mm×3.5mmH
截面样品台:2.0mm×6.0mm×5.0mmH
专用样品台
截面样品台:2.0mm×12.0mm×6.0mmH
双倾截面样品台:0.8mm×8.5mm×3.5mmH
信号检测器
二次电子探测器
TOP 探测器(选配)
BF/DF 双STEM探测器(选配)
应用领域:
1. 半导体器件
2. 高分子材料
3. 纳米材料
4. 生命科学