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低噪声近红外雪崩光电探测器
IAV352雪崩光电二极管
• 陶瓷小装配
• 350微米直径
• 其它详见如下说明
| 产品说明 | |||||||
| 客户： 任何人 | NO. IAV352 | ||||||
| 类型：雪崩光电二极管 | |||||||
| CUST. DWG. | PKG. | *陶瓷的 | MAT InGaAs | ||||
| 器件标志 | |||||||
| (a) G | |||||||
| (b) IAV350 | |||||||
| (C) DC | |||||||
| A类和/或性能特征 | |||||||
| NO. | 参数条件@23ºC±2°C | 小 | 典型 | 大 | 单位 | ||
| 1 | 波长范围 | 1000 | 1630 | nm | |||
| 2 | 响应率@M=1 1550nm波长 | 0.85 | 0.9 | 0.95 | A/W | ||
| 3 | 暗电流@M=10 | 30 | 250 | nA | |||
| 4 | 工作电压Vr@M=10 | 37 | 52 | 68 | V | ||
| 5 | 击穿电压Vbr(Id=10µA) | 45 | 60 | 75 | V | ||
| 6 | 激活区直径 | 350 | 352 | 355 | µm | ||
| 7 | 电容@M=10 | 3.2 | 4.0 | pF | |||
| 8 | 带宽@M=5 | 0.6 | GHz | ||||
| 9 | 带宽@M=10 | 0.6 | GHz | ||||
| 10 | 带宽@M=20 | 0.6 | GHz | ||||
| 11 | 过量噪声因子F@M=10 | 3.2 | 3.7 | ||||
| 12 | 过量噪声因子F@M=20 | 5.5 | 6.0 | ||||
| 13 | 噪声等效功率NEP@M=10 | 0.08 | pW/Hz1/2 | ||||
| 14 | 大条件 | ||||||
| 15 | 工作温度范围 | 0 | 70 | °C | |||
| 16 | 存储温度范围 | -40 | 85 | °C | |||
| 17 | 大反向电流 | 1 | mA | ||||
| 18 | 大正向电流 | 0 | 10 | mA | |||
| 19 | 光学输入(平均) | 0 | dBm | ||||
| 特殊要求 | |||||||
*陶瓷小装配略图#13344, 350微米直径激活区。 对于每一个单位，下列数据是要求的：击穿电压@10µA。工作电压和暗电流增益=10,15和20,响应率(X.XX A/W)@M=1；1550nm. *试验条件@23°C±2°C | |||||||
