导电微晶静电场描绘仪/ 型号:HAGVZ-4

一.知识准备

1． 关键词：模拟法，静电场，稳恒电流场，等位线，电力线；

2． 用模拟法测绘静电场分布的原理；

3． 高斯定律。

二．实验目的           

        1、学习用模拟方法来测绘具有相同数学形式的物理场；

      2、描绘出分布曲线及场量的分布特点；

      3、加深对各物理场概念的理解；

      4、初步学会用模拟法测量和研究二维静电场。

主要技术参数：

1.     HAGVZ-4型为箱体和电源分离式，单笔测试,内置四种电极

（同心圆、平行导线、聚焦、劈尖形或飞机机翼电场）。
2.规格为420mm*260mm,高100mm,K4-2导线。
3.同心圆印有极坐标(大r6.5cm ,小r1cm),其他电极距离为8cm.
4.微晶导电层的均匀性，实验值误差为小于2%。
5.电源输出范围（直流）为7.00v—13.00V，分辨率为0.01V (配三位半数码管)。
6.采用多圈电位器调节电压，调节细度可达0.01V。

详细说明20120506140619764.doc