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TT330N14KOFTT330N14KOF
TT330N14KOF, eupec ,图片。
整流桥+三相桥（PIM）
产品型号参数说明封装形式
FP10R06W1E310A , 600V , IGBT3EasyPIM 1B
FP10R06KL410A , 600V , IGBT 参考价面议 -
TT330N16KOFTT330N16KOF
infineon TT330N16KOF, eupec ,图片。
三电平模块
图片PDF中文资料，datasheet详细参数，中文参数，操作方案，进口*现货价格，产品库存状况。（如有需要 敬请“安科半导体”，可提供） 参考价面议 -
TT330N18KOFTT330N18KOF
TT330N18KOF, eupec ,图片。
三电平模块 产品型号参数说明封装形式 参考价面议 -
TT425N12KOFTT425N12KOF
infineon TT425N12KOF, eupec ,SIEMENS 。 参考价面议 -
TT425N16KOFTT425N16KOF
TT425N16KOF
公司推出冷mos管，它采用“超级结”（Super-Junction）结构，故又称超结功率MOSFET。工作电压600V～800V，通态电阻几乎降低了一个数量级，仍保持开关速度快的特点，是一种有发展前途的高频功率半导体电子器件。
IGBT功率模块/IGBT智能模块 参考价面议 -
TT425N18KOFTT425N18KOF
TT425N18KOF IGBT功率模块/IGBT智能模块，*，国内库存，全国代理。
IGBT刚出现时，电压、电流额定值只有600V、25A。很长一段时间内，耐压水平限于1200V～1700V，经过长时间的探索研究和改进，现在IGBT的电压、电流额定值已分别达到3300V/1200 参考价面议 -
TT430N18KOFTT430N18KOF
TT430N18KOF，可控硅，infineon , eupec 。 参考价面议 -
TT430N20KOFTT430N20KOF
TT430N20KOF，可控硅，infineon , eupec 。 参考价面议 -
TT430N22KOFTT430N22KOF
TT430N22KOF，可控硅，infineon , eupec 。 参考价面议 -
TT430N24KOFTT430N24KOF
TT430N24KOF，可控硅，infineon , eupec 。 参考价面议 -
TT500N08KOFTT500N08KOF
TT500N08KOF，可控硅，infineon , eupec 。 参考价面议 -
TT500N12KOFTT500N12KOF
TT500N12KOF，可控硅，infineon , eupec 。 参考价面议