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单晶硅压力变送器
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单晶硅压力变送器具有0.075%超高测量精度，100:1宽量程比，稳定性高、响应速度快、可靠性高，自带HART通讯功能方便手操器调试，具有本质安全型、隔爆型、选配多种隔离膜片结构，多种过程连接标准，适用微压、绝压、负压、高温高压、低温和腐蚀条件的压力测量。
一、单晶硅压力变送器工作原理
利用单晶硅的压阻效应而构成。采用单晶硅片为弹性元件，在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺，在单晶硅的特定方向扩散一组等值电阻，并将电阻接成桥路，单晶硅片置于传感器腔内。当压力发生变化时，单晶硅产生应变，使直接扩散在上面的应变电阻产生与被测压力成比例的变化，再由桥式电路获得相应的电压输出信号。
二、单晶硅压力变送器技术参数
测量范围
相对压力：0～400Pa～35MPa
J.D压力：0～1.75KPa～35MPa
信号输出
4-20mA +HART通讯协议（两线制）
测量精度
综合误差：0.1%（包括线性度、重复性、迟滞），特殊要求可定0.075%
长期稳定性
每年优于0.15%F.S
五年优于0.2%F.S
温度范围
允许介质温度：（-40～120）℃
允许环境温度：（-40～85）℃
允许储存温度：（-40～85）℃
温度影响
相对于25℃：≤±0.4%标准量程
阻尼时间
0~40S连续可调
抗震动：2g 1000HZ ±0.05%g
抗冲击：50g 11mesc
电磁兼容特性：符合IEC801标准
传感器允许过压：标准量程3倍压力
零点z.ui小报警电流范围：3.8mA
满度z.ui大报警电流范围：21mA
启动时间：3S 无需预热
与介质接触部分材料
过程连接件：不锈钢316， 哈氏合金C
传感器膜片：不锈钢316， 哈氏合金C
与介质非接触部分材料
外壳：压铸铝带环氧树脂涂层
传感器充灌液:硅油 厌氧油
现场显示:液晶3 1/2精度数字式显示器 液晶模拟条状显示器
防护等级:IP66
重量:约1Kg
防爆等级防爆型 Ex d ⅡC T5 ，本安型 Ex ia ⅡC T5
允许环境湿度:99%RH
