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BLS-120 硅片少子寿命测试仪 光量子计
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“Sinton少子寿命测试仪”“四探针电阻测量仪”
美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了*的测量和分析技术，包括类似平稳状态photoconductance (QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况。WCT一个高度被看待的研究和过程工具。QSSPC终身测量也产生含蓄的打开电路电压(对照明)曲线，与最后的I-V曲线是可比较的在一个太阳能电池过程的每个阶段。
美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了*的测量和分析技术，包括准稳定态光电导(QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应,表面复合效应等缺陷情况。WCT在大于20%的超高效率太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研发和生产过程中是一种被广泛选用的检测工具。这种QSSPC测量少子寿命的方法可以在电池生产的中间任意阶段得到一个类似光照IV曲线的开路电压曲线，可以结合最后的IV曲线对电池制作过程进行数据监控和参数优化。
- 检测原始硅片的性能
- 测试过程硅片的重金属污染状况
- 评价表面钝化和发射极扩散掺杂的好坏
- 用得到的类似IV的开压曲线来评价生产过程中由生产环节造成的漏电。
详细信息
Sinton BLS-I少子寿命测量仪
BLS-I测量系统用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块 体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体 内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。
Sinton 少子寿命测量仪，BCT-400测试硅锭，BLS-I测试硅棒，Sinton X-闪光灯头，Sinton X5D闪光灯头，Sinton X闪光灯座。
Sinton BCT-400少子寿命测量仪
BCT-400测量系统不需要做表面钝化就能直接测量单晶和多晶硅（锭或块）的少子寿命.
是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备，具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命，并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值，可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量，并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。
